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元件参数资料
>
参数目录34227
> DDTA122LE-7-F TRANS PREBIASED PNP SOT523
型号:
DDTA122LE-7-F
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
TRANS PREBIASED PNP SOT523
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
DDTA122LE-7-F PDF
产品目录绘图
SOT-(23, 323, 523) Series Circuit
SOT-523 Side
SOT-523 Top
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
220
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
56 @ 10mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
频率 - 转换
200MHz
功率 - 最大
150mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-523
供应商设备封装
SOT-523
包装
标准包装
产品目录页面
1579 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DDTA122LE-FDIDKR
查看DDTA122LE-7-F代理商
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